Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 4.72€ | 5.66€ |
5 - 9 | 4.48€ | 5.38€ |
10 - 24 | 4.25€ | 5.10€ |
25 - 49 | 4.01€ | 4.81€ |
50 - 99 | 3.92€ | 4.70€ |
100 - 157 | 3.46€ | 4.15€ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 4.72€ | 5.66€ |
5 - 9 | 4.48€ | 5.38€ |
10 - 24 | 4.25€ | 5.10€ |
25 - 49 | 4.01€ | 4.81€ |
50 - 99 | 3.92€ | 4.70€ |
100 - 157 | 3.46€ | 4.15€ |
Transistor canal N, 92A, 130A, 250uA, 5.6M Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRFB4310PBF. Transistor canal N, 92A, 130A, 250uA, 5.6M Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 92A. Id (T=25°C): 130A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 5.6M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 7670pF. C (out): 540pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Convertisseurs DC-DC haute fréquence. Id(imp): 550A. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: IRFB4310. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 68 ns. Td(on): 26 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 23/04/2025, 00:25.
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