Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 3.53€ | 4.24€ |
5 - 9 | 3.36€ | 4.03€ |
10 - 24 | 3.18€ | 3.82€ |
25 - 49 | 3.00€ | 3.60€ |
50 - 79 | 2.93€ | 3.52€ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.53€ | 4.24€ |
5 - 9 | 3.36€ | 4.03€ |
10 - 24 | 3.18€ | 3.82€ |
25 - 49 | 3.00€ | 3.60€ |
50 - 79 | 2.93€ | 3.52€ |
Transistor canal N, 69A, 97A, 250uA, 0.072 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRFB42N20DPBF. Transistor canal N, 69A, 97A, 250uA, 0.072 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 69A. Id (T=25°C): 97A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.072 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 4820pF. C (out): 340pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 220 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation de puissance à haute vitesse. Id(imp): 390A. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: IRFB4410ZPBF. Dissipation de puissance maxi: 230W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 43 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 23/04/2025, 00:25.
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