Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 6.68€ | 8.02€ |
2 - 2 | 6.34€ | 7.61€ |
3 - 4 | 6.14€ | 7.37€ |
5 - 9 | 6.01€ | 7.21€ |
10 - 19 | 5.88€ | 7.06€ |
20 - 29 | 5.68€ | 6.82€ |
30 - 78 | 5.48€ | 6.58€ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 6.68€ | 8.02€ |
2 - 2 | 6.34€ | 7.61€ |
3 - 4 | 6.14€ | 7.37€ |
5 - 9 | 6.01€ | 7.21€ |
10 - 19 | 5.88€ | 7.06€ |
20 - 29 | 5.68€ | 6.82€ |
30 - 78 | 5.48€ | 6.58€ |
Transistor canal N, 74A, 104A, 250uA, 0.0093 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V - IRFB4115. Transistor canal N, 74A, 104A, 250uA, 0.0093 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Id (T=100°C): 74A. Id (T=25°C): 104A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0093 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 150V. C (in): 5270pF. C (out): 490pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 86 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Switching. Protection G-S: non. Id(imp): 420A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 380W. RoHS: oui. Poids: 1.99g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 18 ns. Td(on): 41 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 09/06/2025, 20:25.
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