Transistor canal N, 6.6A, 8.3A, 150uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v - IRF7807

Transistor canal N, 6.6A, 8.3A, 150uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v - IRF7807. Transistor canal N, 6.6A, 8.3A, 150uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 6.6A. Id (T=25°C): 8.3A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 0.017 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuit intégré pour convertisseurs DC-DC. Id(imp): 66A. Idss (min): 30uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 25 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 12V. Vgs(th) min.: 1V. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 22/04/2025, 16:25.