Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 5.2A - IRF620PBF

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 5.2A - IRF620PBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 5.2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF620PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 3.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.2 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 260pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Produit d'origine constructeur Vishay (ir). Quantité en stock actualisée le 09/06/2025, 12:25.