Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 55V, 98A - IRF3205STRLPBF

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 55V, 98A - IRF3205STRLPBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 55V, 98A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 98A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F3205S. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3247pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 09/06/2025, 10:25.