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Transistor canal N, 7.5A, 11.8A, 10uA, 0.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V - FQPF19N20

Transistor canal N, 7.5A, 11.8A, 10uA, 0.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V - FQPF19N20
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Transistor canal N, 7.5A, 11.8A, 10uA, 0.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V - FQPF19N20. Transistor canal N, 7.5A, 11.8A, 10uA, 0.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=100°C): 7.5A. Id (T=25°C): 11.8A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.12 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1220pF. C (out): 220pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 140 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur Fairchild. Quantité en stock actualisée le 08/06/2025, 22:25.

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FQPF19N20C
Transistor canal N, 12.1A, 19A, 100uA, 0.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=100°C): 12.1A. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.14 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. C (in): 830pF. C (out): 195pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 208 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 76A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 43W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 135 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v
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Transistor canal N, 12.1A, 19A, 100uA, 0.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=100°C): 12.1A. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.14 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. C (in): 830pF. C (out): 195pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 208 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 76A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 43W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 135 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v
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