Transistor canal N, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v - AO4716

Transistor canal N, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v - AO4716. Transistor canal N, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 9.6A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 20mA. Résistance passante Rds On: 0.0058 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2154pF. C (out): 474pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 12 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. Idss (min): 0.1mA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 25.2 ns. Td(on): 6.8 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.3V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 11:25.