Transistor canal N, 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - AO3400A

Transistor canal N, 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - AO3400A. Transistor canal N, 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Id (T=100°C): 4.7A. Id (T=25°C): 5.7A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 5.7A. Résistance passante Rds On: 22m Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 630pF. C (out): 75pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 16.8 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation ou applications PWM. Id(imp): 25A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 1uA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 21.5 ns. Td(on): 3.2 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Tension grille/source Vgs: 12V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 11:25.