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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 9A, 9A, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V - 2SK956

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Transistor canal N, 9A, 9A, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V - 2SK956. Transistor canal N, 9A, 9A, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 800V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 26A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: F-II Series POWER MOSFET. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 11:25.

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Transistor canal N, 6.32A, 10A, 100uA, 0.93 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. Id (T=100°C): 6.32A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.93 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 800V. C (in): 2150pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 730 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: FQA10N80C. Dissipation de puissance maxi: 240W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 44nC). Protection G-S: non
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