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Transistor canal N, 2A, 2A, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V - 2SK2251-01

Transistor canal N, 2A, 2A, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V - 2SK2251-01
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Transistor canal N, 2A, 2A, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V - 2SK2251-01. Transistor canal N, 2A, 2A, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 2A. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 250V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Id(imp): 8A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: FAP-IIA Series. Produit d'origine constructeur Fuji Electric. Quantité en stock actualisée le 07/06/2025, 23:25.

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Transistor canal N, 2A, 2A, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 2A. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 250V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Id(imp): 8A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: FAP-IIA Series
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Transistor canal N, 2A, 2A, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 2A. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 250V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Id(imp): 8A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: FAP-IIA Series
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