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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor BUL45GD2G

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Transistor BUL45GD2G. Transistor. C (out): 50pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 13 MHz. Fonction: Transistor de puissance NPN bipolaire à gain élevé et à grande vitesse. Gain hFE maxi: 34. Gain hFE mini: 22. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 10A. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO220AB CASE 221A-09. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 0.28V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Vebo: 12V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. Diode BE: non. Diode CE: oui. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 00:25.

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