Transistor BTS410E2-PDF

Transistor BTS410E2-PDF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: TO-263/5. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 5. Marquage du fabricant: BTS410E2. Tension drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.22 Ohms @ 1.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 125us. Délai de coupure tf[nsec.]: 85us. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 15:25.