Transistor BSV52

Transistor BSV52. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 400 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 25. Courant de collecteur: 250mA. Marquage sur le boîtier: B2. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.225mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf(max): 18 ns. Tf(min): 12us. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 20V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 12V. Spec info: sérigraphie/code CMS B2. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 15:25.