Transistor BSS123-E6327

Transistor BSS123-E6327. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 'SAs'. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.19A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ 0.15A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.8V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 3.5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 11 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 20.9pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 08:25.