Transistor BSS110

Transistor BSS110. Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSS110. Tension drain-source Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -170mA. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 45pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.63W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 08:25.