Transistor BSR51

Transistor BSR51. Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 2000. Gain hFE mini: 1000. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 2A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 1300 ns. Tf(min): 500 ns. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( SOT-54 ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 08:25.