Transistor BFW92A

Transistor BFW92A. Transistor. Boîtier: TO-50. Résistance B: non. Diode BE: transistor NPN haute fréquence. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé (CMS). C (in): TO-50. Diode CE: composant monté en surface (CMS). Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3.2GHz. Fonction: Amplificateur RF large bande jusqu'à la gamme GHz.. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 0.025A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-50-3. Type de transistor: NPN. Vcbo: 25V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Spec info: 'Planar RF Transistor'. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 00:25.