Transistor BFS20

Transistor BFS20. Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 450 MHz. Fonction: 'IF and VHF thick and thin-film circuit'. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 25mA. Ic(puls): 25mA. Marquage sur le boîtier: G1*. Dissipation de puissance maxi: 200mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 30 v. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Vebo: 4 v. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS G1p, G1t, G1W. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 00:25.