Transistor BFP193E6327

Transistor BFP193E6327. Transistor. C (in): 0.9pF. C (out): 0.28pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8GHz. Fonction: UHF wideband transistor. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 70. Courant de collecteur: 80mA. Marquage sur le boîtier: RCs. Dissipation de puissance maxi: 580mW (total 380mW). RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 20V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 12V. Vebo: 2V. Nombre de connexions: 4. Spec info: sérigraphie/code CMS RCs. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 00:25.