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Transistor BDY83B

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Transistor BDY83B. Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Courant de collecteur: 4A. Dissipation de puissance maxi: 36W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 20:25.