Transistor BD810G

Transistor BD810G. Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD810G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 1.5 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 90W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 17:25.