Transistor BC639-16-CDIL

Transistor BC639-16-CDIL. Transistor. C (in): 50pF. C (out): 7pF. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 1A. Dissipation de puissance maxi: 800mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC640-16. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 05:25.