Transistor 2SK1217

Transistor 2SK1217. Transistor. C (in): 1400pF. C (out): 200pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Low Driving Power High Speed Switching. Id(imp): 23A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 300 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: V-MOS. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 10:25.