Transistor 2SJ119

Transistor 2SJ119. Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3P. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: J119. Tension drain-source Uds [V]: -160V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 90 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1050pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 100W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 10:25.