Transistor 2SD1669

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Transistor 2SD1669. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 70. Courant de collecteur: 12A. Id(imp): 15A. Remarque: transistor complémentaire (paire) 2SB1136. Dissipation de puissance maxi: 30W. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220ML. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 6V. Quantité en stock actualisée le 10/01/2025, 18:25.

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