Transistor 2SC4770

Transistor 2SC4770. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Gain hFE maxi: 8. Gain hFE mini: 3. Courant de collecteur: 7A. Ic(puls): 16A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Tf (type): 0.1us. Boîtier: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Boîtier (selon fiche technique): TO3PML. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 7V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 18:25.