Transistor 2SB1470

Transistor 2SB1470. Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: Optimal pour une sortie Hi-Fi de 120W. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 3500. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 15A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple diffusion planar type darlington'. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TOP-3L. Type de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.