Transistor 2SB1243

Transistor 2SB1243. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Gain hFE maxi: 390. Gain hFE mini: 82. Courant de collecteur: 3A. Ic(puls): 4.5A. Marquage sur le boîtier: B1243 (RN). Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial planar type'. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): ATV. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 5V. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.