Transistor 2SA1358Y

Transistor 2SA1358Y. Transistor. C (out): 30pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Courant de collecteur: 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 10W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F (2-8A1H). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3421Y. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 19:25.