Transistor 2SA1015Y

Transistor 2SA1015Y. Transistor. C (out): 4pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: hFE.120-240. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Courant de collecteur: 0.15A. Marquage sur le boîtier: 1015 Y. Nombre de connexions: 3. Température: +125°C. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+125°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC1815Y. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 15:25.