Transistor 2N7002T1-E3

Transistor 2N7002T1-E3. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 72. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.115A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.05A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 50pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 15:25.