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Transistor 2N6520

Transistor 2N6520
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Transistor 2N6520. Transistor. Boîtier: TO-92. Résistance B: Transistor de puissance. Résistance BE: -350V. C (in): 100pF. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 0.5A. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6517. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 15:25.

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Transistor. C (out): 1.6pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Courant de collecteur: 0.5A. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Vebo: 6V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non
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