Transistor 2N3439

Transistor 2N3439. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: S/VID. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 30. Courant de collecteur: 1A. Nombre de connexions: 3. Température: +200°C. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial planar NPN transistor'. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Type de transistor: NPN. Vcbo: 450V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Vebo: 7V. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 12:25.