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Toshiba

Transistor NPN 400V 8A S2000N

Référence produit : S2000N
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)400V
Courant collecteur continu (Ic)8A
Gain en courant continu (hFE)10 (min)
Tension collecteur-émetteur en saturation (Vce(sat))1V (max) à Ic=5A
BoîtierTO-220

Description technique du produit (S2000N):

Transistor NPN 400V 8A S2000N. Le S2000N est un transistor de puissance bipolaire NPN conçu pour les applications de commutation à haute tension et courant élevé. Il est encapsulé dans un boîtier TO-220, offrant une bonne dissipation thermique.