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Toshiba
Transistor MOSFET Canal N 600V 12A 2SK4012-Q
Référence produit : 2SK4012-Q
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 4.30 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 600V |
| Courant de drain | 12A |
| Résistance à l'état passant | 0.45 Ohm |
| Tension de seuil | 2.0V à 4.0V |
| Charge de grille | 25 nC |
Description technique du produit (2SK4012-Q):
Transistor MOSFET Canal N 600V 12A 2SK4012-Q. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute puissance.