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Toshiba
Transistor MOSFET Canal N 600V 10A 2SK3911
Référence produit : 2SK3911
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 29 | 5.82 € | — |
| 30+Meilleur prix | 5.50 € | -5% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 600V |
| Courant de drain (Id) | 10A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 0.73Ω |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 2.0-4.0V |
| Charge de grille (Qg) | 20nC |
Description technique du produit (2SK3911):
Transistor MOSFET Canal N 600V 10A 2SK3911. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et de gestion de puissance.