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Toshiba
Transistor MOSFET Canal N 600V 30A 2SK3799
Référence produit : 2SK3799
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 49 | 6.07 € | — |
| 50+Meilleur prix | 5.72 € | -6% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 600V |
| Courant de drain (Id) | 30A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 0.11Ω |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 2.5V-4.5V |
| Charge de grille (Qg) | 100nC |
Description technique du produit (2SK3799):
Transistor MOSFET Canal N 600V 30A 2SK3799. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute puissance.