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Toshiba

Transistor MOSFET Canal N 600V 10A 2SK3566

Référence produit : 2SK3566
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source600V
Courant de drain10A
Résistance à l'état passant0.65 Ohm
Tension de seuil de grille2.0V à 4.0V
Charge de grille totale25 nC

Description technique du produit (2SK3566):

Transistor MOSFET Canal N 600V 10A 2SK3566. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute puissance.