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Toshiba
Transistor MOSFET Canal N 900V 10A 2SK2607
Référence produit : 2SK2607
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 4.99 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 900V |
| Courant de drain (Id) | 10A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 1.1 Ohm (max) |
| Tension de seuil de grille (Vgs(th)) | 2.0-4.0V |
| Charge de grille (Qg) | 50 nC (typ) |
Description technique du produit (2SK2607):
Transistor MOSFET Canal N 900V 10A 2SK2607. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et les alimentations.