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Toshiba

Transistor MOSFET Canal N 900V 10A 2SK1529

Référence produit : 2SK1529
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)900V
Courant de drain continu (Id)10A
Résistance à l'état passant (Rds(on))1.2 Ohm (max)
Tension de seuil (Vgs(th))2.0V - 4.0V
Charge de grille (Qg)60nC (typ)

Description technique du produit (2SK1529):

Transistor MOSFET Canal N 900V 10A 2SK1529. Le 2SK1529 est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et de forte puissance.