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Toshiba

Transistor MOSFET Canal N 600V 10A 2SK1377

Référence produit : 2SK1377
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)600V
Courant de drain continu (Id)10A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.85Ω (max)
Tension de seuil (Vgs(th))2.0V - 4.0V
Charge de grille (Qg)30nC (typ)

Description technique du produit (2SK1377):

Transistor MOSFET Canal N 600V 10A 2SK1377. Le 2SK1377 est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et de gestion de puissance.