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Toshiba

Transistor FET Canal N 50V 0.03A 2SK1117

Référence produit : 2SK1117
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension drain-source50V
Courant de drain continu30mA
Tension de seuil (Vgs(off))-0.5V à -2.0V
BoîtierTO-92

Description technique du produit (2SK1117):

Transistor FET Canal N 50V 0.03A 2SK1117. Transistor JFET à canal N conçu pour des applications d'amplification à faible bruit et de commutation générale.