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Toshiba

Transistor FET canal P -20V -0.05A 2SJ512

Référence produit : 2SJ512
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Caractéristiques techniques

3 paramètres
Tension drain-source-20V
Courant de drain-50mA
Tension de seuil (Vgs(off))0.5V à 2.0V

Description technique du produit (2SJ512):

Transistor FET canal P -20V -0.05A 2SJ512. Le 2SJ512 est un transistor à effet de champ à jonction (JFET) de type Canal P, conçu pour des applications de commutation et d'amplification à faible bruit.