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Taiwan Semicon
Transistor MOSFET Canal N 60V 15A TSM900N06CP
Référence produit : TSM900N06CP
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 29 | 0.62 € | — |
| 30 – 99 | 0.34 € | -45% |
| 100 – 199 | 0.30 € | -52% |
| 200 – 299 | 0.26 € | -58% |
| 300 – 2499 | 0.25 € | -60% |
| 2500+Meilleur prix | 0.25 € | -60% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 60V |
| Courant de drain continu (Id) | 15A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 50 mΩ (max) |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 2.5V (typ) |
| Charge de grille (Qg) | 15 nC (typ) |
Description technique du produit (TSM900N06CP):
Transistor MOSFET Canal N 60V 15A TSM900N06CP. Transistor MOSFET de puissance à canal N, optimisé pour les applications de commutation rapide et de gestion de puissance.