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Taiwan Semicon

Transistor MOSFET canal P -30V -10A TSM4435BCS

Référence produit : TSM4435BCS
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source-30V
Courant de drain continu-10A
Résistance à l'état passant (max)13.5mΩ à Vgs = -10V
Tension de seuil de grille-1V à -2.5V
Charge de grille totale25nC

Description technique du produit (TSM4435BCS):

Transistor MOSFET canal P -30V -10A TSM4435BCS. Le TSM4435BCS est un MOSFET de puissance à canal P conçu pour des applications de commutation et de gestion de l'énergie. Il offre une faible résistance à l'état passant et une commutation rapide, le rendant idéal pour les convertisseurs DC-DC et la gestion de batterie.