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Taiwan Semicon

Transistor MOSFET Canal N 20V 4.5A TSM2306CX

Référence produit : TSM2306CX
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)20V
Courant de drain (Id)4.5A
Résistance à l'état passant (Rds(on))30mΩ
Tension de seuil (Vgs(th))0.45V à 1.0V
Charge de grille (Qg)5.5nC

Description technique du produit (TSM2306CX):

Transistor MOSFET Canal N 20V 4.5A TSM2306CX. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance.