Transistor STP200N4F3

Transistor STP200N4F3. Transistor. C (in): 5100pF. C (out): 1270pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 67 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 480A. Id (T=100°C): 60.4k Ohms. Id (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 200N4F3. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 3m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: STripFET™ Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: commutation, applications automobiles. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.