Transistor canal N, 4.7A, 11A, 100uA, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - STP11NM80

Transistor canal N, 4.7A, 11A, 100uA, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - STP11NM80. Transistor canal N, 4.7A, 11A, 100uA, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 4.7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.35 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1630pF. C (out): 750pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 612 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Protection G-S: non. Id(imp): 44A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: P11NM80. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 46 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: MDmesh MOSFET. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 09/06/2025, 00:25.