Transistor canal P, 11.4A, 5uA, SO, SO-8, 30 v - SI4425BDY

Transistor canal P, 11.4A, 5uA, SO, SO-8, 30 v - SI4425BDY. Transistor canal P, 11.4A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 11.4A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 41ms. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. Id (T=100°C): 9.1A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.01 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 100 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 12:25.